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中国生物工程杂志

CHINA BIOTECHNOLOGY
中国生物工程杂志  1997, Vol. 17 Issue (4): 10-13    
论文     
菌紫质人工膜的光电压与离子强度的非线性关系
郑国和2, 王敖金1, 杨俭华1, 胡坤生2, 林书煌2
1. 中科院生物物理研究所, 北京 100101;
2. 首都师范大学生物信息科学研究所 , 北京 100037
2
 全文: PDF(225 KB)   HTML
摘要:

本文研究了K+、Mg2+和La3+离子强度对菌紫质人工膜的光电压的影响。研究结果表明,在实验所测定的离子强度范围内菌紫质人工沉淀膜的光电压与上述离子的离子强度间具有非线性关系,并随离子价数的提高其响应峰值的位置向低浓度发展。本文研究结果将对菌紫质光化学反应循环、质子迁移机制的研究,以及菌紫质光电池的设计、和以菌紫质为基础的视觉功能模拟和人工视觉研究提供有价值的数据 。

关键词: 菌紫质人工膜光电压质子迁移    
出版日期: 1997-08-25
基金资助:

北京自然科学基金

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作者相关文章  

引用本文:

郑国和, 王敖金, 杨俭华, 胡坤生, 林书煌. 菌紫质人工膜的光电压与离子强度的非线性关系[J]. 中国生物工程杂志, 1997, 17(4): 10-13.

链接本文:

https://manu60.magtech.com.cn/biotech/CN/Y1997/V17/I4/10

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